9月8日，据韩媒ZDNET Korea及多方行业消息源确认，三星电子4nm工艺产线已全面满负荷运转，其中50%至60%的产能被分配用于HBM4基础裸片（Base Die）生产。这一比例预计将至少维持至今年下半年。在平泽2号、3号园区的S5、S6代工产线上，每月约3万片4nm晶圆中，有1.5万片专门服务于HBM4基片制造。

这并非一次普通的产能调整，而是AI时代存储需求爆发后的必然结果。

为什么HBM4基片开始"吃"先进制程产能？

HBM（高带宽内存）的堆叠结构类似一栋"小高楼"——最底层是基础裸片，上面再一层层叠上DRAM核心芯片。此前几代HBM的基片采用相对成熟的内存工艺即可满足需求，但到了HBM4这一代，数据传输速率和引脚速度大幅提升：I/O引脚从1024个翻倍至2048个，最高带宽约3.3TB/s，功耗效率较上代提升约40%。基片需要承担更复杂的逻辑控制和信号管理任务，因此开始改用逻辑芯片的先进制程来制造。

三星的独特优势在于"自研DRAM + 自研代工"的垂直整合——它可以直接用自家的4nm逻辑工艺生产HBM4基片，无需外部代工。而竞争对手SK海力士将基片外包给台积电，美光则走定制路线。这种"自己人做自己人"的模式，让三星在良率和交付节奏上更加灵活。

从追赶者到搅局者：三星HBM份额一年翻倍

市场份额数据印证了三星激进扩产的成效。据行业数据，2026年第二季度三星按营收计算的HBM市场份额已攀升至约38%，相比一年前约15%的水平实现大幅增长。与此同时，长期占据主导地位的SK海力士份额则从2025年第二季度的64%回落至2026年第二季度的约50%。越来越多客户开始采取多供应商策略，从三星采购更多HBM产品以分散供应链风险。

三星此前已于今年2月开始量产HBM4，预计第三季度HBM4营收环比增长将超过三倍，下半年HBM4占整体HBM销售额的比例将超过60%。这种倾斜也带动了代工业务产能利用率的快速回升——此前外部逻辑芯片订单并未填满平泽产线，如今内部HBM4基片订单涌入后，整体开工率已超过90%。

2nm基片瞄准英伟达，下一代HBM竞争已提前打响

更值得关注的是，三星已在考虑将2nm工艺用于下一代HBM基础裸片。据8月报道，三星计划改造器兴工业区的一条产线用于2nm基片生产，该产品或将专门面向英伟达等AI芯片巨头。此外，三星还在同步推进HBM4E技术，并考虑未来在HBM5上引入更先进的2nm基片。

行业竞争格局正在被重塑。HBM不再只是简单的内存堆叠，而是越来越像"带逻辑功能的内存子系统"。随着Google、微软、亚马逊等云服务商持续开发自研AI加速器，对具备定制能力的HBM4产品需求不断增长——客户希望在基片中直接整合专属逻辑模块（内存控制器、PHY接口电路等），将部分电路从主计算芯片转移到HBM底层。三星同时拥有存储器、晶圆代工和先进封装业务，在提供定制化HBM解决方案方面具备结构性优势。

对产业链的影响：内存与逻辑的边界正在模糊

三星将一半以上4nm产能押注HBM4基片，既是对眼前AI需求的直接回应，也是在为下一轮竞争提前卡位。但这一趋势也带来连锁效应：先进制程产能被HBM基片大量占用，意味着其他逻辑芯片客户可能面临更紧的排产周期；整个行业正把更多资源投向"定制基片+高堆叠DRAM"的方向。

对国内存储产业链而言，三星、SK海力士和美光纷纷将HBM作为核心战略，先进制程产能向基片倾斜，客观上加剧了Conventional DRAM和消费级NAND的供给紧张——这正是当前DDR4涨价、现货市场"价稳量缩"的深层原因之一。存储原厂的产能分配策略，正在深刻影响从模组厂到终端品牌的全产业链成本结构。