核心一句话：3D堆叠DRAM、HBM、HBF、CXL、SSD 要「按需组合」卖方案，不再单卖颗粒。
9月9日，SK海力士官方新闻室披露：2026 Future Forum 于 9月8日在韩国利川 SUPEX Center 举办，CEO 郭鲁政率核心高管与生态伙伴共同宣布，公司战略定位从「内存器件供应商」正式升维为「Full-Stack AI Memory Creator（全栈AI内存创造者）」。这是 SK海力士自 2024 年举办 Future Forum 以来，对外战略表述最系统、最具转折意味的一次。
「3D堆叠DRAM + HBM + HBF + CXL + SSD」五件套按工作负载协同设计，被明确写入公司新战略。
为什么SK海力士要「跳出内存看内存」？
CEO 郭鲁政形容行业变化：「过去做内存像跑直道，比谁冲得快；如今像跑蜿蜒的山路，瞬息万变。」副总裁 Euicheol Lim 完整阐述核心——不再满足于单独销售 HBM 或 DRAM 器件，而是将 3D 堆叠 DRAM、HBM、HBF、CXL、SSD 等多种内存，按 AI 工作负载（Reactive AI、Agentic AI、Physical AI）特性组合，并通过与 AI 服务方、软件方、加速器方的「系统级协同设计」构建最优解。
技术路线图：3D 内存被定为「未来内存技术」
高丽大学 Changhwan Shin 教授将 3D 定义为「消除内存与计算芯片界限的技术」——器件缩放已逼近极限，跨系统数据传输与功耗上升使 3D 转型不可避免，并提出通过 AI 联动「材料—器件—封装—架构」四域的 3D 集成设计框架。SK海力士副总裁 Kyunghoon Kim 与 Hoyoung Son 给出三条方向：1）最大化数据总线宽度；2）超短距离传输；3）将 DRAM 外围电路（Peri.）转化为逻辑代工。
与三星「zHBM」路线分叉：分梯度 vs 一柱擎天
SK海力士的「分梯度」思路与三星力推的 zHBM 构成鲜明对照。三星主张把 HBM 直接 3D 堆叠到 AI 加速器之上（zHBM），号称性能可达未来 HBM5 的 8 倍、功耗降 3/4；SK海力士则主张保持多种内存层级的「独立形态」，通过软件编排实现按工作负载定制。两条路线没有绝对优劣，但代表着 HBM 之后下一轮内存战场的分叉。
论坛上 SK海力士还展示了 GaiA Platform（晶圆厂AI协作生产平台）、安全监督机器人、VLM 无人机等已在自家工厂落地的「AX（AI Transformation）」成果——内部 AI 化与对外「Full-Stack AI Memory」同步推进。Anthropic 产品负责人 Thariq Shihipar 与 TSMC 的 April Li 等顶级生态嘉宾同台，印证 SK海力士正把自己嵌入「AI 系统设计」的决策桌，而不再只是「被 BOM 表点名的元件供应商」。
对国内存储产业链意味着什么
这是一个明确的「系统级竞争」信号——2026 年是存储原厂「重新定义自己」的元年，AI 时代的故事将围绕「谁更懂 AI 系统」展开。