过去十年，HBM 高带宽内存都是乖乖"躺"在 GPU 旁边的。三星在最近几场发布会上，把这张平面图改成了立体图——干脆把内存堆到 AI 加速器正上方。这不是 PPT 噱头，背后是 AI 算力被"搬数据"这一步真实卡脖子的痛点。
从 2.5D 到"垂直高速公路"：zHBM 是什么
传统 HBM 用 2.5D 封装，内存横排在 GPU 周围；三星提出的 zHBM 则直接把 HBM 垂直堆叠在 AI 加速器上方，让数据搬运距离大幅缩短。按三星披露的目标：相对 HBM4E，zHBM 性能约 8 倍、能效 3 倍、热阻降低 75%–90%。更直观的系统级目标是——把单用户 AI 响应吞吐从约 100 tokens/s 拉到 1000 tokens/s。说白了，就是想用"立体堆叠"绕开平面布局的带宽与功耗天花板。
不止 HBM：V10 BV-NAND 与 zNAND-O
在 FMS 2026 上，三星首次展示了 V10 BV-NAND：400 层以上，用全新的晶圆键合（Bonding V-NAND）工艺，这是行业第一次把晶圆键合用到这种层数的 NAND 上。同时亮相的还有 zNAND-O：基于 V-NAND 的 4 层 / 8 层垂直堆叠，面向端侧 AI，主打低延迟、高 I/O，正好补上"DRAM 容量不够、NAND 速度不够"之间的夹缝。三星称 zNAND-O 样品预计 2028 年放出。
CUBE 战略：三星想怎么翻盘
在 SEMICON Taiwan 2026，三星提出 CUBE 战略（Capacity / Utilization / Bandwidth / Efficiency，即容量、利用率、带宽、效率）。其中下一代 HBM5 将采用 2nm 基底层，目标相对 HBM4E 性能翻倍、每瓦性能 +20%、热阻 -20%。背景很关键：今年 Q2，三星重夺 DRAM 营收全球第一（约 39%，Counterpoint 口径），NAND 也居首（29.3%）；但在最赚钱的 HBM 赛道，它仍落后于 SK 海力士。押注"立体堆叠"，正是为后 HBM4 时代抢身位。
给采购方的启示
短期（2026–2027）主流供货仍是 HBM4 / HBM4E，zHBM 是 2028 年以后的故事。但原厂把产能和研发持续往高端 AI 内存倾斜，意味着通用 DRAM / NAND 的供给弹性会更紧。关注技术路线之余，先把眼前两年的合约价锁住，比赌技术拐点更务实。
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