长鑫科技9月28日董事会通过议案，拟使用180亿元超募资金投建两大新项目——130亿元用于DRAM技术研发（重设备端），50亿元通过全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司建设存储器晶圆后道测试基地二期。对于关注国产存储替代与供应链安全的采购方，这是一枚明确的产能扩张与品控补强信号。
一、钱从哪来？超募368亿，本次动用180亿
长鑫科技IPO原拟募资295亿元，实际募集资金净额达663.10亿元，超募资金金额368.10亿元。本次拟动用的180亿元，对应两大新项目合计349亿元的投资总额，议案后续需经股东大会审议批准后方可推进。
二、钱花在哪？研发端重设备，后道端补产能
DRAM技术研发项目将在合肥经开区12英寸存储晶圆生产基地内实施，建设期30个月；在241亿元总投资中，223.98亿元（约93%）将投入设备购置——虽以“研发”立项，但绝大部分集中在生产与研发设备获取。后道测试基地落在肥西县，为DRAM芯片提供测试与模组组装服务，建设期37个月，补齐交付前的品控短板。
三、意味着什么？代际完整，份额逼近10%
长鑫已完成从第一代到第五代工艺技术平台的量产，覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6，核心工艺达国际先进水平。据CFM数据，长鑫二季度DRAM销售收入达145.45亿美元，环比增长99%，已跻身全球第四大DRAM厂商，市场份额逼近10%。产能与后道能力的同步补齐，将直接提升其面向品牌客户的稳定供货与交付质量。