今天（10月12日）国内DRAM传来重磅进展：在10月10日上海举办的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇对外公布，4F² DRAM架构取得关键研发进展，并预告将于2026年底推出融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

一、4F²到底强在哪？

当前DRAM行业主流是6F²架构（F为最小特征尺寸）。4F²意味着单个存储单元只占用4倍最小特征尺寸的平方，单位面积存储密度更高。长鑫的核心创新是自研VSG垂直包围沟道晶体管，强化栅控、改善漏电和短沟道效应，晶体管垂直布局也有助于芯片面积微缩。从6F²到4F²是底层架构变革，原有设计流程无法直接复用——长鑫已就字线金属化、位线成型、结激活等关键工艺完成系列攻关，相关公开专利族超300件，居海内外厂商前列。

二、年底见DDR5 RDIMM，但服务器门槛不低

DDR5 RDIMM是服务器主流内存模组，要适配7×24小时不间断运行，完成数百项CPU/主板兼容性测试，还要保障高速信号不衰减、不误码，工程门槛很高。本次大会未公布具体硬件规格与精确时点，产品将接受服务器场景严苛的稳定性、兼容性验证。

三、长鑫2026技术落地大盘点

· 8月：LPDDR6量产，峰值速率12800Mbps，单颗最高16GB；· 9月20日：第五代DRAM工艺平台量产，内存阵列有源区半间距缩至11.95nm；· 9月28日：披露两项重大项目，研发总投241亿元、后道测试基地二期108亿元，完善DRAM IDM布局。 

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