10月16日，SK海力士在OCP Global Summit 2026上提出下一代AI基础设施愿景——“Memory-Centric Server Systems Are the Future”（以内存为中心的服务器系统是未来）。从HBM到CXL、eSSD、HBF，存储正从AI算力的“配角”走向“中心”。
一、一张蓝图：把内存放在AI服务器的C位
SK海力士的愿景覆盖了多条存储技术线：面向AI的高带宽内存HBM、用于内存扩展的CXL、企业级固态eSSD、高带宽闪存HBF（High Bandwidth Flash）、第二代SOCAMM模组SOCAMM2，以及存算一体的PIM、面向KV缓存的SALT-KV等。其核心判断是：当算力越来越受限于“内存墙”，把数据放在离计算更近的地方，才是AI基础设施的下一站。
二、更硬核的研究：3D FeNAND让NAND“会算”
10月14日，SK海力士发布[Inside the Research]研究：在AI时代，NAND正从“存储”走向“计算”。其团队基于IEEE论文提出一种3D FeNAND方案，对单元、非单元和页面方案进行协同优化。相比传统3D CTN NAND，3D FeNAND更适合模拟存内计算（A-CiM）——在以更低功耗精确控制多个电流级别上更有优势。
数据很惊人：在相同芯片面积限制下，其吞吐量比传统3D阵列高出约10–20倍，能效高出约4000–5000倍。这意味着存储单元不仅能“存权重”，还能“直接算”，大幅减少数据搬运、降低能耗。
三、意味着什么：存储厂商的“算力化”竞赛
解读：过去存储厂比的是制程与堆叠层数，如今比的是“如何让存储参与计算”。HBM之外，存内计算、CXL内存池化、高带宽闪存，可能共同重塑未来的服务器架构。值得关注的是，中国厂商在DRAM架构上的突破（如长鑫4F²）同样指向“更高密度、更低单位成本”的竞赛，全球存储产业的技术重心正在整体前移。
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