长鑫G5量产、三星代工HBM基底裸片、戴尔预警供应恶化

1. 长鑫存储第五代DRAM平台（G5）量产

10月20日，2026世界制造业大会。 长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台（G5）实现量产，并展出基于该平台的24Gb LPDDR5X新品。平台关键结构间距约11.95纳米，每片晶圆裸片产出较第四代提升至少50%。这是长鑫高端存储路线上的里程碑式突破。

2. 消息称三星将采用台积电3nm（及自研2nm）为英伟达生产HBM基底裸片

10月19日。 据韩媒援引业内人士消息，英伟达正与三星、台积电合作设计其专用HBM（NVHBM）的基底裸片。台积电3nm良率据称超90%，三星2nm（SF2）约60%；三星晶圆代工也在其2nm工艺上验证该基底裸片生产，以应对持续增长的需求。

3. 戴尔CEO：2027年HBM与DRAM供应紧张将进一步恶化

10月19日。 戴尔科技CEO迈克尔·戴尔表示，AI基础设施需求持续飙升，但全球内存产能增长跟不上，HBM和DRAM的供应紧张预计在2027年进一步恶化，受限局面甚至可能持续长达四年。他强调，目前尚未发现重复下单或资源闲置等异常信号。

4. 长鑫科技Q3净利润预告：533.95亿–548.95亿元，同比扭亏

10月19日–21日。 长鑫科技披露前三季度业绩预告：第三季度归母净利润533.95亿–548.95亿元，同比扭亏为盈，环比增长1.0%–3.9%；第三季度营收1146.9亿–1196.9亿元，同比增长589%–619%。前三季度归母净利润约1310亿–1325亿元。

5. 三星电机签下3605亿韩元封装基板长约

10月20日（约15小时前）。 三星电机宣布与一家全球大型企业签署价值3605亿韩元（约2.7亿美元）的供货合同，为其提供安装在存储半导体上的高性能封装基板，期限自2027年1月1日至12月31日。AI与HPC需求推升HBM、服务器DRAM模组需求，基板随之紧俏。

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