据路透社引知情人士消息，三星电子和 SK 海力士正在升级其中国工厂的 NAND 闪存产线，目标把堆叠层数提升到 200 层以上，让中国工厂的技术水平尽量贴近韩国本土工厂。

背景有两点：一是长江存储 NAND 份额快速攀升，韩系厂商承压；二是 AI 服务器、数据中心和企业级 SSD 对高容量 NAND 的需求持续增长。CFM 数据显示，2026 年二季度三星占全球 NAND 份额 27.5%（第一）、SK 海力士 18.5%（第二）、长江存储 15.0%（第三）。

三星西安工厂约占其全球 NAND 产量 40%，目前主产约 200 层产品；内部代号“Monami”的项目拟改造为 286 层 V9 NAND，目标 2026 年 12 月月产 5,000 片、2027 年 12 月提升至 4 万片，三星称属升级改造、不与美政府扩大产能或新建设施。SK 海力士大连工厂目前产 192 层，计划转向 240 层以上（源自 2021 年收购英特尔 NAND 业务、现属 Solidigm），已获准生产最高 240 层，并可能寻求美许可开展 300 层以上研发。

变量在监管：自 2022 年美国收紧对华设备出口管制，三星、SK 海力士在华安装部分美制设备需每年申请许可；此次升级节奏，仍取决于美方对相关设备出口许可的审批。

点评

技术升级≠产能扩张，且受美许可约束，短期对全球供给格局影响有限。但它释放了一个清晰信号：韩系要在华守住高端 NAND 的身位。对国内采购而言，这恰恰是国产替代窗口值得重点关注的窗口期——多源比价、验证替代料号，现在就要排进日程。


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