当长江存储把NAND全球市占率做到第三，韩系存储大厂显然坐不住了。据路透社援引知情人士消息，三星电子和SK海力士正在悄悄升级它们中国工厂的NAND闪存产线——目标很明确：把堆叠层数拉到200层以上，让中国工厂的技术水平尽量贴近韩国本土。这背后，是一场关于产能、技术与地缘监管的暗战。

一、三星西安：代号“Monami”，转向286层V9 NAND

三星西安工厂约占其全球NAND产量的40%，目前主要生产约200层级别的NAND。知情人士称，三星正在推进内部代号为“Monami”的项目，将西安工厂改造为生产286层V9 NAND；目标是在2026年12月实现月产5000片晶圆，并在2027年12月把月产能提升到4万片。三星方面证实升级改造正在进行，并已与美国政府密切协商——这次升级旨在满足全球客户（包括美国客户）日益增长的需求，并非新建工厂或扩产。

二、SK海力士大连：从192层迈向240层以上

SK海力士大连工厂源自2021年收购英特尔NAND业务，目前仍是旗下Solidigm的重要NAND制造基地，现产192层NAND。知情人士称，SK海力士计划将其转向生产240层及以上的NAND产品，并已获准在大连生产最高240层芯片，还可能进一步寻求美国许可，在当地开展300层以上芯片的研发，为未来潜在的美国本土生产做准备。SK海力士表示设备安装持续推进，但未披露具体生产计划。

三、为什么要“补课”？两个绕不开的背景

其一，长江存储NAND市占率快速提升，韩系厂商压力陡增。据CFM数据，2026年二季度三星占全球NAND市场27.5%（第一）、SK海力士18.5%（第二）、长江存储15.0%（第三）。其二，AI服务器、数据中心和企业级SSD对高容量NAND的需求持续增长，谁的技术层数落后，谁就在高容量市场丢份额。把中国工厂拉到200层以上，既是防守，也是贴近需求侧的现实选择。

四、监管才是最大变量

自2022年美国加强对华芯片制造设备出口管制以来，三星和SK海力士在中国工厂安装部分美制设备需每年申请许可证。美方此前表态倾向批准“维持现有工厂”所需设备的许可，但不打算批准扩产或升级技术。因此，这次升级能否完全按节奏推进，仍取决于美方对相关设备出口许可的审批——这或许是整件事最大的不确定因素。

对国内存储产业链而言，韩厂在中国“补课”既是竞争信号，也说明高多层NAND的本土化能力已是硬指标。短期看，技术许可和地缘因素会拖慢节奏；中长期看，谁能把层数、良率和成本同时跑通，谁就握紧下一轮议价权。

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