据路透社引述知情人士，三星电子与 SK 海力士正在升级其中国工厂的 NAND 闪存产线，目标把堆叠层数提升到 200 层以上，让中国工厂的技术水平尽量贴近韩国本土工厂。
要点速览
① 三星西安工厂：推进内部代号“Monami”的项目，转向 286 层 V9 NAND；目标 2026 年 12 月月产 5000 片晶圆，2027 年 12 月提升至月产 4 万片。西安约占三星全球 NAND 产量的 40%，目前主要生产约 200 层级别产品。三星称升级为改造既有产线、满足全球客户需求，并未扩大产能或新建工厂。
② SK 海力士大连工厂：计划从 192 层向 240 层以上升级。该工厂源自 2021 年收购英特尔 NAND 业务，现为 Solidigm 重要 NAND 制造基地；已获准生产最高 240 层芯片，或进一步寻求 300 层以上研发许可。
③ 背景：长江存储 NAND 份额快速提升，韩系厂商承压；同时 AI 服务器、数据中心、企业级 SSD 对高容量 NAND 的需求持续增长。二季度全球 NAND 份额：三星 27.5%（第一）、SK 海力士 18.5%（第二）、长江存储 15.0%（第三）。
④ 关键变量：自 2022 年美对华芯片设备出口管制加强以来，三星、SK 海力士在华工厂安装部分美制设备需逐年申领许可证。此次升级能否按节奏推进，仍取决于美方对相关设备出口许可的审批。
速递点评：原厂一边把中国工厂“技术补课”到 200 层以上，一边又被许可审批卡住节奏——NAND 的高端产能，仍然稀缺且敏感。
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